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計測用装置群

計測方法

分析対象

電磁波 粒子・素粒子ビーム プロービング その他
電場 磁場 X線・ガンマ線 イオン・原子・陽子 電子・陽電子 メカニカルプローブ その他の計測
A B C D E F G H
構造的特性 結晶構造 1 A1 B1 C1 D1 E1 F1 G1 H1
組成・不純物 2 A2 B2 C2 D2 E2 F2 G2 H2
化学結合・価数 3 A3 B3 C3 D3 E3 F3 G3 H3
欠陥(密度・準位) 4 A4 B4 C4 D4 E4 F4 G4 H4
密度・空孔度 5 A5 B5 C5 D5 E5 F5 G5 H5
質量 質量 6 A6 B6 C6 D6 E6 F6 G6 H6
機械的特性 歪・ストレス 7 A7 B7 C7 D7 E7 F7 G7 H7
硬度・強度 8 A8 B8 C8 D8 E8 F8 G8 H8
形状的特性 形状 9 A9 B9 C9 D9 E9 F9 G9 H9
サイズ・膜厚 10 A10 B10 C10 D10 E10 F10 G10 H10
素材物性 電気特性 11 A11 B11 C11 D11 E11 F11 G11 H11
磁気特性 12 A12 B12 C12 D12 E12 F12 G12 H12
光学特性 13 A13 B13 C13 D13 E13 F13 G13 H13
フォノン特性 14 A14 B14 C14 D14 E14 F14 G14 H14
発光特性 15 A15 B15 C15 D15 E15 F15 G15 H15
バンド構造 16 A16 B16 C16 D16 E16 F16 G16 H16
生体構造・機能 解剖画像・脳機能 17 A17 B17 C17 D17 E17 F17 G17 H17
その他の生体構造 18 A18 B18 C18 D18 E18 F18 G18 H18
その他の特性 その他 19 A19 B19 C19 D19 E19 F19 G19 H19

微細加工装置群

微細加工

加工精度・材料

成膜 パターニング 加工 設計
材料 精度 加工材料
金属・半導体 酸化物膜・窒化物膜・炭化物膜 有機物・高分子・フォトレジスト 10nm~1μm 1μm~ 金属・半導体 酸化物・窒化物・その他
A B C D E F G H
成膜 液相成膜法 スピンコート 1 A1 B1 C1
メッキ 2 A2 B2 C2
陽極酸化 3 A3 B3 C3
気相成膜法 物理的気相成長法 4 A4 B4 C4
化学的気相成長法 5 A5 B5 C5
パターニング 要レチクルorマスクorモールド 6 D6 E6
マスクレス 7 D7 E7
加工方法 ウェットエッチング 8 F8 G8
プラズマエッチング 9 F9 G9
イオンミリング 10 F10 G10
FIB 11 F11 G11
設計 デバイスシミュレーター 12 H12

分子物質合成装置群

微細加工

加工精度・材料

合成 計測 加工・その他
A B C
DNA 1 A1 B1 C1
細胞 2 A2 B2 C2
高分子・生体高分子・その他化合物 3 A3 B3 C3
その他 4 A4 B4 C4

補助装置群

補助装置

処理内容

洗浄 加熱 切断・研磨・接続・その他
A B C
補助装置 1 A1 B1 C1