ドライエッチングシステム CDE-7-4

機関 筑波大学
施設名 研究基盤総合センターオープンファシリティー推進室(UTOF):数理物質系
メーカー SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
型式 CDE-7-4
用途
仕様(特徴・詳細)

特徴
・ ラジカルによる低ダメージの等方性ドライエッチング装置です。マイクロ波プラズマで生成されたラジカルにより、SiやSiO2など様々な材料のエッチングが可能です。

・ 処理(エッチング)部とプラズマ発生部が完全に分離した、 リモートプラズマ方式であるため、プラズマダメージが入りません。

・ 6インチウェハーに対応していますが、数ミリ角の小さな試料も処理することができます。試料導入室には最大25枚の6インチウェハーをセットすることができ、すべて自動で処理することが可能です。

・ Siの表面や溝の平滑化・ドライ洗浄、SiO2上のSiN膜の高選択比エッチング、DRIE後のスキャロップ除去などが可能です。

仕様
・ プラズマ電源:マイクロ波 2.45GHz 1kW、エッチングガス:CF4, O2, N2.
・ 試料サイズ:数mm~6インチウェハー(最大25枚).

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問合せ先

筑波大学研究基盤総合センターオープンファシリティー推進室
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備考
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