スパッタリング装置

機関 筑波大学
施設名 微細加工プラットフォーム
メーカー 芝浦メカトロニクス
型式 CFS-4EP-LL
用途

スパッタ法によるAu,Al薄膜の形成

仕様(特徴・詳細)

スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ RF500W (DC)
スパッタ源:3インチGUN×4基(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm(4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
加熱温度:室温~300 ℃
到達真空度・時間:10-5 Pa、10 分以内に7 x 10-3 Pa
排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式:全自動(レシピ設定可)
プロセスガス:Ar、N2、O2
成膜レート:18 nm/min (Au), 10 nm/min (Pt)
ロードロック式タイプ
基板テーブル:Φ220 mm

芝浦メカトロニクス社のスパッタ装置解説ページ
http://www.shibaura.co.jp/products/vacuum/v_01.html

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問合せ先

筑波大学微細加工プラットフォーム事務局
e-mai: staff[@]u-tsukuba-nanotech.jp
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備考

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