陽電子消滅測定(Positron Annihilation Spectroscopy : PAS)

機関 筑波大学
施設名 研究基盤総合センター応用加速器部門(UTTAC)
メーカー
型式
用途

・半導体基板、単結晶薄膜の点欠陥評価
・金属表面近傍の点欠陥検出
・アモルファス膜の空隙の大きさ、深さ分布評価
・高分子等の自由体積のサイズ分布評価

仕様(特徴・詳細)

試料中に陽電子を照射し電子との対消滅で発生するガンマ線を測定することで、物質中の欠陥などを評価します

・検出できる欠陥:単一原子空孔から空隙まで(ポア、数10 nm)
・検出感度:1015 cm-3
・非破壊測定
・試料温度,導電性等の制限なし
・試料表面から数μmまでの深さ方向分布の測定が可能

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

筑波大学
研究基盤総合センター応用加速器部門、外部利用窓口
〒305-8577 茨城県つくば市天王台1-1-1
電話:029-853-2492(応用加速器部門事務室)
FAX:029-853-2565
e-mail: kyoyo-staff[@]tac.tsukuba.ac.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

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