極端紫外光光電子分光装置(EUPS)

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー 産総研自主開発
型式
用途
仕様(特徴・詳細)

産総研自主開発:レーザー生成プラズマを用いて生成したパルスEUV光を試料を照射した際に放出される光電子のエネルギーを計測することにより、試料最表面(0.5 nm程度)の電子状態を分析する装置。
絶縁物、導体表面からの光電子のエネルギースペクトルのシフトから、試料表面の汚染状態を評価する、世界で唯一の表面分析装置。

・ナノ秒可視・近赤外蛍光寿命計測装置
●EUV光子エネルギー:255.17eV
●EUV光子スペクトル幅~0.1eV
●EUVパルス幅:3nsec
●試料上ビーム径:50~100μm
●絶縁薄膜、有機薄膜を帯電させること無く測定可能
測定可能な物理量
●バンド曲がり
●二次電子スペクトルで真空準位
●ナノ粒子表面の汚染度
●電子雲の傾斜角(π、σ電子識別)原理、測定例をEUPSのHP (http://staff.aist.go.jp/t-tomie/EUPS)で紹介
詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail :ibec_info-ml[@]aist.go.jp
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備考
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