原子層堆積装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社
型式 FlexAL
用途

金属薄膜、半導体薄膜、誘電体薄膜の成膜

仕様(特徴・詳細)

本装置は原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD)を利用して原子層レベルで膜厚を制御して平坦で緻密な薄膜を形成する装置です。
CVD法やPLD法と比較してアスペクト比の高い構造物に均一な膜を成膜することが可能です。

・型式
FlexAL

・基板ホルダー
2”,3”,4”,6”,8”Φ ウエハ
□60 mm、□40 mm、□30 mm、 □20 mm、□15 mm、□10 mm の切り出しチップ
不定形基板(8”Φ以内)

・成膜可能材料及び原料
Al2O3、AlN(TMA:高純度トリメチルアルミニウム)
HfO2、HfN(TEMAH:高純度テトラエチルメチルアミノハフニウム)
Ru(高純度ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム)
SiO2、SiON (TDMAS:高純度トリスジメチルアミノシラン)
Ta2O5、Ta3N5、TaN(高純度t-ブチルイミノトリス(メイルエチルアミノ)タンタル)
TiN(TDMAT:高純度テトラキスジメチルアミノチタン)
TiO2(TTIP:高純度チタンテトライソプロポキシド)
ZnO(DEZn:高純度ジエチル亜鉛)

・チャンバー到達真空度
2.0 x 10-5 Pa

オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のFlexAL解説ページ
オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社のALD法解説ページ

ALD法の解説ページ(ALD japan)

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問合せ先

国立研究開発法人産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進センター共用施設運営ユニット共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1
つくば中央第2事業所 2-12棟
TEL:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Email:tia-kyoyo-ml[@]aist.go.jp
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