ECRスパッタリング装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー NTTアフティ
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

・電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマスパッタ方式
・成膜可能材料: Al2O3、SiO2、AlN、SiN
・基板サイズ: 最大φ100 x t3 mm
・基板加熱: Max 300 ℃
・成膜距離: 100 ~ 200 mm
・成膜ガス圧力: 0.1 ~ 0.2 Pa

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問合せ先

国立研究開発法人産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進センター共用施設運営ユニット共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1
つくば中央第2事業所 2-12棟
TEL:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Email:tia-kyoyo-ml[@]aist.go.jp
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備考
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検索キーワード スパッタ装置 酸化物 窒化物