プラズマCVD装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー サムコ
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料として酸化シリコン膜を成膜することができます。

 

RF電源はオートマッチングシステムで制御され、投入パワーは最大300 Wとなっています。

ステージ加熱機構は抵抗加熱方式となっており、最大400 ℃まで昇温が可能です。

 

・電極間隔: 25 mm(上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式(MAX400 ℃)
・RF電源: 13.56 MHz水晶発振(MAX300 W ソリッドステート方式)
・導入ガス: C2F6 (MAX100 sccm),O2 (MAX1000 sccm),TEOS (MAX30 sccm)
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・排気系: ロータリーポンプ+メカニカルブースターポンプ
・オートプレッシャーコントローラー: コンダクタンス可変型
・有効成膜範囲: φ220 mm

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
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備考
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検索キーワード 成膜 CVD 化学的気相成長