イオンコーター (SEM, FIB付帯装置)

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー 日立ハイテク
型式 E-1030
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

走査電子顕微鏡観察において、導電性のない試料を観察する際の帯電障害(チャージアップ)を防止するために、Ptあるいはカーボンコーティングをするための装置です。
・型式:E-1030
・放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形)
・電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み)
・電圧:電圧DC 0.4 kV(固定)
・電流:電流DC 0~35 mA(リミット回路付き)
・コーティングレート:最大 毎分6.5 nm (Pt)
・試料サイズ:最大直径:55 mm、最大高さ:20 mm

日立ハイテクのイオンスパッタ装置解説ページ
http://www.hitachi-hitec.com/science/sample/e1045.html

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
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備考

付帯装置

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