RF・DCスパッタ装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー アルバック
型式 CS-200
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

この装置は、スパッタリング現象を利用して、薄膜を作製するためのものです。
マグネトロンカソードを4インチ3式、3インチ1式装備しています。構成は、RF用非磁性3インチ×1、非磁性4インチ×1およびDC用非磁性4インチ×1、強磁性4インチ×1となっております。
積層成膜、RF/DCの同時放電が可能となっており、この搭載されているRF電源において、基板バイアスの印加も可能となっています。
基板加熱機構を有しており、最高加熱温度は500 ℃までとなります。
・3インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
・4インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
・4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
・4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(強磁性)
・計4カソード
・スパッタ電源:RF電源×1台(1 kW)、DC電源×1台(2 kW)
・基板テーブル:回転加熱逆スパッタテーブル方式
・基板寸法と間隔:寸法
・200 mm以下 ターゲット-基板間隔:120 mm
・加熱温度:最大500℃・膜厚分布:±5%以内(φ180 mm範囲内)
・到達真空度:3.5×10-5 Pa プロセスガス:Ar、O2、N2 パージガス:窒素ガス

ULVACのスパッタリング装置解説ページ
http://www.ulvac.co.jp/products_j/equipment/applications/power-device/front-side_power-device/sputtering_front-side/cs-200

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考
施設画像
検索キーワード スパッタリング 成膜