多元同時スパッタ装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

この装置は複数のソースを同時にスパッタし成膜することが可能です。
膜厚分布は±5 %以内(5インチ基板にSiO2を堆積した場合)です。
また、基板とソースとの距離(Target-Substrate(TS)間距離)が可変のソース(RF仕様)が1基搭載されており、最適なTS間距離の調整が可能です。
不定形基板を固定する治具が用意されており、様々な形状の基板に対応しています。
また、強磁性体の成膜も可能です。
・スパッタソース:4基(RF×2基、DC×2基)
・ロードロックチャンバ装備
・DC電源:MAX 500 W
・RF電源:MAX 500 W

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考
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