FIB-SEM 複合装置(FIB-SEM)

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
型式 XVstion 200 DB
用途

加工、観察

仕様(特徴・詳細)

この装置はガリウムイオンビームとエレクトロンビームを集束・走査することで、SIM(Scanning Ion Microscopy) によるイオン励起二次電子像、及び 同一真空チャンバー内にあるFE-SEM(Field Emission-Scanning Electron Microscopy)による電子励起二次電子像や電子励起反射電子像の観察を行いながら、ガリウムイオンビームによる任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシスト・エレクトロンビームアシストによる任意の箇所でのカーボンやタングステンの化学気相成長を行うことが可能です。
そのほか同一真空チャンバー内にあるツインマニュピレータプローブによる電圧印加とSIM観察やFE-SEM観察を行いながら、ボルテージコントラスト解析を行うことができます。
・型式: XVstion 200 DB
・イオン源: ガリウム液体金属イオン源
・電子銃: ショットキー電界放出型
・加速電圧: FIB (SIM) 1 ~ 30 kV, FE-SEM 1 ~ 30 kV
・像分解能: FIB (SIM) 4 nm @ 30 kV, FE-SEM 3 nm @ 5 kV
・検出器: Chamber SE検出器, In-Lens SE検出器, EsB反射電子検出器
・イオンビーム電流: 0.1 nA~45 nA
・ガス供給システム: カーボン(フェナントレン), タングステン(タングステンカルボニル)・プローブシステム: ツインマニュピレータプローブ
・試料ステージ制御: 5軸ユーセントリックチルトステージ
・ステージ傾斜角度: 最大45°(ツインマニュピレータプローブ仕様のため)
・試料サイズ: 幅200 mmφ以下, 高さ5 mm以下 (高低差0.2 mm以内)

原理(ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会監修)
http://www.tsc-web.jp/map/pdf/FIB.pdf

日立ハイテクのFIB-SEM複合装置解説ページ
http://www.hitachi-hitec.com/science/fibsem/xvision200.html

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つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
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TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
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