イオンスパッタ(FIB付帯装置)

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー 日立ハイテク
型式 E-1045
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

集束イオンビーム加工観察において、熱伝導性のない試料の昇華や融解による形状変形 及び熱改質の防止、試料の表面へのイオン注入による汚染(orイオンビーム入射による表面改質)の防止、電気伝導性のない試料の加工や観察への帯電障害(チャージアップ)を防止するため、Ptコーティングを行う装置です。

・放電方式:ダイオード放電マグネトロン形(電場・磁場直交形)
・電極形状:対向平行円板(マグネット埋込み)
・電圧:最高電圧DC 0.4 kV
・電流:最大電流DC 40 mA
・コーティングレート: Pt 毎分15 nm以上 (参考値)
・試料サイズ:最大直径:60 mm、最大高さ:20 mm

日立ハイテクのイオンスパッタ装置解説ページ
http://www.hitachi-hitec.com/science/sample/e1045.html

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
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備考

付帯装置

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