反応性イオンエッチング装置 (RIE)

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー サムコ
型式 RIE-200L
用途

エッチング

仕様(特徴・詳細)

この装置は、反応性ガス(SF6, CF4, O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチング用粒子として使用して材料表面を削るものです。
基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。
Φ8インチウェハーまで対応が可能です。
・型式:RIE-200L
・高周波電界:周波数13.56 MHz(水晶発振制御)、最大300 W
・電界制御:インピーダンスオートマッチング
・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極
・試料台寸法:寸法Φ240 mm, 電極間隔55 mm
・反応ガス:SF6, CF4, O2
・パージガス:窒素ガス

サムコ株式会社のRIE-200L解説ページ
http://www.samco.co.jp/products/list/03_etching/01_rie/rie-200lc.php

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産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
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TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
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