電子ビーム描画装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー クレステック
型式 CABL-9410TFNA
用途

パターン露光

仕様(特徴・詳細)

細く絞った電子線を基板表面に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。
その分解能は電子線のビーム径に依存します。
電子線をスポット照射させる加工方法である為、加工時間は、微細かつ加工領域が大きくなるほど長くなります。
試料は最大6インチ基板まで扱えます。
電子線走査範囲は一辺が100 μm~1 mmの正方形で、描画方式により若干異なりますが、画素数を4000~60000ドットの範囲内から選択できます。
・型式:CABL-9410TFNA
・電子銃:熱電界放射型ZrO,Wエミッタ
・最小スポット直径:ガウス分布2 nmΦ(加速電圧50 kV)
・描画可能な最小線幅:10 nm(レジスト膜厚100 nmのとき)
・走査方式:ベクター走査、ラスター走査
・走査領域:最大1 mm□
・つなぎ合わせ描画領域:最大150 mm□
・つなぎ合わせ精度:50 nm以下
・重ね合わせ精度:50 nm以下
・試料寸法:最大6インチΦ×4.6 mm(高さ)

株式会社クレステックのCABLシリーズ解説ページ
http://www.crestec8.co.jp/japaneseF/prod/elec/

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産業技術総合研究所
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