電子線描画装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 ナノプロセシング施設(NPF)
メーカー 日立ハイテク、東京テクノロジー
型式 S-3000H
用途

パターン露光

仕様(特徴・詳細)

細く絞った電子線を基板表面に照射し、微細な加工(描画)を行うための装置です。
その分解能は電子線のビーム径に依存します。電子線をスポット照射させる加工方法である為、加工時間は、微細かつ加工領域が大きくなるほど長くなります。
試料は最大40 mm□基板まで扱えます。走査範囲は一辺が最大500 μmの正方形で、描画方式により若干異なりますが、画素数は標準10000ドットです。
・型式:S-3000H(日立ハイテク)、Beam Draw(東京テクノロジー)
・電子銃:熱電子放射型Wヘアピンフィラメント
・最小スポット直径:約30 nmΦ(加速電圧20 kV、ビーム電流0.1 nA)
・描画可能な最小線幅:100 nm(レジスト膜厚100 nm)
・走査方式:ラスター走査
・走査領域:最大500 μm□
・つなぎ合わせ描画領域:最大40 mm□
・つなぎ合わせ精度:300 nm以下
・重ね合わせ精度:400 nm以下
・試料寸法:最大40 mm□

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考
施設画像
検索キーワード