マルチターゲット(六源)スパッタ装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー エイコーエンジニアリング
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

・最大基板サイズ:4inchウェハ。
・成膜チャンバーとサンプル搬入用ロードロックの2チャンバー構成。
・スパッタ方式:DC、RF可能。
・成膜時の圧力コントロール精度:0.2 mTorr以下。
・成膜可能材料:Nb、Al、SiO2、Ti、W、Au。
・基板洗浄用逆スパッタ可能。
・分子状酸素による酸化プロセス実行可能。
・成膜時間制御用タイマー付き。
・ジョセフソン接合、超伝導転移端検出器、超伝導量子細線検出器作製用の各種材料の成膜に使用している。

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・使用可能なサンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・成膜可能な基板サイズ:3、2inchウェハと20mm角基板。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
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