ウェハー洗浄装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー 三益半導体株式会社
型式
用途

ウェハ洗浄

仕様(特徴・詳細)

本装置は、希フッ酸によるSiの自然酸化膜のエッチングとオゾン水によるSi酸化プロセスの繰り返しにより、Siウェハー表面・裏面を同時に洗浄する、スピンタイプのウェハー洗浄装置です。回転保持機構部にフィンタイプチャックを採用、通常のウエハーのほか、反りのある薄物ウエハーに対しても安定した回転能力を保持。更にハンギング方式でのハンドリングにより高い安定性を実現しています。またロボットアーム、ウェハーキャリアー設置部の段取り替えにより複数のウェハーサイズに対応しています。洗浄中のウエハー裏面への処理液の回り込みが極めて少なく、裏面へのリンス処理も可能です。

●対応可能ウェハーサイズ:3, 4inch(排他使用)。
●洗浄能力:洗浄後の4inchのSiウェハー上の0.1 μmの粒子の数が<10個
●使用溶液:DHF(0.5-20 wt%)、オゾン水(20 ppm)。
●超純水ノズル種類:2流体ノズル、メガソニック。
●乾燥:窒素ブロー

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

●測定可能なサンプル:薄膜成膜前の所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
●実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
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