反応性イオンエッチング装置Samco-III

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー サムコ株式会社
型式 RIE-10NR
用途

プラズマエッチング

仕様(特徴・詳細)

この装置は反応性ガス(CF4、SF6、O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。
基板に高周波電圧を印加する方式により、加速されたイオンが基板に対して垂直方向に入射してエッチングを進めるのでパターンの微細化に有効です。
・型式: RIE-10NR
・最大基板サイズ: Φ8 inchウェハ
・放電方式: 容量結合方式(CCP)
・高周波電界: 周波数13.56 MHz(水晶発振制御)、最大300 W
・電界制御: インピーダンスオートマッチング
・反応ガス: CF4、SF6、O2
・パージガス: N2
・基板冷却: 水冷
・エッチング可能材料: Nb、Ta、W、NbN等

サムコ株式会社のRIE-10NR解説ページ
http://www.samco.co.jp/products/list/03_etching/01_rie/rie-10nr.php

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail :ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・エッチング可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・現時点でエッチング可能な基板サイズ:8inchウェハと4inch以下のサイズのウェハおよび小形基板。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
検索キーワード エッチング プラズマエッチング ドライエッチング 異方性エッチング バッチ式 枚葉式 タッチパネル制御 レシピ制御 Nb 8インチ