Nb-Alジョセフソン接合作製装置[In-situ分析器&オゾン酸化器付]

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー 日本サイエンティフィック
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

直流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。2種類の材料を逐次多層成膜することができます(手動)。真空システムと基板搬送は手動操作です。
●型式:M93-0012
●装置形態:スパッタチャンバー x 2 + ロードロック室
●スパッタ源:6 inchDCマグネトロン x 2式(各スパッタ室に1つ)
●スパッタ電源:DC電源 最大出力1.5 kW(各スパッタ源と排他的に接続)
●電力コントロール:アーキング防止機能付き
●RF電源:最大出力500 W
●最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ
●基板保持機構:水冷
●1つの成膜チャンバー内で逆スパッタ可能。
●ターゲット-基板間距離:50 ~ 200 mm
●膜厚分布:±5%以内@100 ~ 200 nm, Nb成膜時@Φ2 inch内
●到達真空度:5 x 10-6 Pa以下
●成膜時Ar圧力:0.113~2 Pa, コントロール精度:0.013 Pa以下
●使用ガス:Ar, O2
●成膜時間制御用タイマー付き。
●成膜可能材料:Nb、Al

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

●使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
●成膜可能な基板サイズ:3、2inchウェハと15,20 mm角基板。
●実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
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