陽電子欠陥測定装置(陽電子プローブマイクロアナライザー[PPMA])

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー 自作
型式
用途

陽電子の寿命スペクトルなどを測定することによって、試料(特に薄膜や表面近傍)の原子~ナノレベルの欠陥・空孔を評価する

仕様(特徴・詳細)

電子加速器で発生した低エネルギー高強度陽電子ビームを短パルス化し試料に入射して、陽電子の寿命スペクトルなどを測定することによって、試料(特に薄膜や表面近傍)の原子~ナノレベルの欠陥・空孔を評価する装置。
原子~ナノメートルサイズの原子空孔や空隙の評価が可能。
●パルスレート: 26 ns以上可変
●パルス幅:200 ps以下
●入射エネルギー0.5 keV~30 keV可変
●ビーム径10 μm~12 mm

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail :ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

陽電子ビーム発生用電子リニアック装置とともに使用

施設画像
検索キーワード 原子空孔分析 サブナノ空隙分析 陽電子ビーム エネルギー可変 3次元分布測定 陽電子欠陥評価装置 陽電子プローブマイクロアナライザー