Nb-Alジョセフソン接合作製装置[標準型]

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

本装置は、ロードロック室、酸化室、ALスパッタ室、Nbスパッタ室の4チャンバーで構成され、真空状態でウエハを搬送させ多層膜を形成するこが可能です。酸化室ではRF逆スパッタにより必要に応じてウエハ表面のクリーニングも出来ます。チャンバー間の移動は自動操作可能です。

・スパッタ方式:DCスパッタ
・スパッタレート:Nb=78 nm/min AL=15 nm/min
・ウエハ冷却(酸化室):22 ℃
・酸化ガス:Ar・O2
・到達真空度:5×10-8 Torr
・最大基板サイズ:Φ3inchウェハ
・基板保持機構:水冷
・ターゲット-基板間距離:50~200 mm
・膜厚分布:±5%
・使用ガス:Ar、Ar/O2
・成膜時間制御用タイマー付き。
・成膜可能材料:Nb、Al

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:ベアまたは表面に非磁性材料の成膜された洗浄済みウエハ、レジスト付着物は不可。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
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