蒸着・バイアススパッタ装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

目的:成膜
方式:RFスパッタリング、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着
材料:SiO2成膜
ウエハサイズ:6″φ以下
代表的プロセス時間:約40分(基板のプラズマクリーニング後に100 nm程度のSiO2スパッタ成膜 1枚)
特徴:基板バイアス電圧印加可能

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-7棟113室クリーンブース内。
・使用可能サンプル:表面に非磁性無機材料またはフォトレジストが成膜された清浄なシリコン基板(ベアシリコン基板含む)。
・成膜可能な基板サイズ:6φ以下。

施設画像
検索キーワード 絶縁膜スパッタ SiO2 ロードロック式 自動成膜 RFスパッタ バイアススパッタ 電子ビーム蒸着 抵抗加熱蒸着 6インチ