絶縁膜作製装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー
型式
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。ロードロック室付きなので基板交換を効率よく迅速に行えます。基板搬送は手動操作です。
・型式:M98-0021
・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室
・スパッタ源:6 inchRFマグネトロン x 1式
・スパッタ電源:RF電源 最大出力1000 W (800 Wで使用中)
・基板サイズ:Φ3 inchウェハ、Φ2 inchウェハ
・基板加熱機構:なし
・基板冷却機構:あり
・逆スパッタで基板クリーニング可能。
・ターゲット-基板間距離:40 ~ 80 mm (ユーザー変更不可)
・到達真空度:1.4 x 10-7 Torr以下
・使用ガス:Ar
・PCによる自動成膜(Webにより進捗状況を遠隔モニター可能、ただし遠隔操作は不可)
・成膜可能材料:SiO2
・成膜時間:6 nm/min 例)400nm成膜に試料の搬入出も含めて約2時間

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-7棟113クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・成膜可能な基板サイズ:標準で2、3 inchウェハを用意、ユーザーがホルダを用意することにより任意のサイズに対応事例あり。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
検索キーワード 絶縁膜スパッタ SiO2 ロードロック式 自動成膜 RFスパッタ 3インチ