アッシング装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー SAMCO
型式
用途

アッシング

仕様(特徴・詳細)

目的:ウエハークリーニング
方式:酸素プラズマ
試料:シリコンウエハー
試料サイズ:175 mm×200 mm以下
典型的プロセス時間:約15分(5分程度のプラズマ処理の場合)
特徴:平行平板電極型(ダイレクトプラズマモード、RIEモード選択可能)

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail: ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-12棟1131室クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:表面に非磁性無機材料またはフォトレジストが成膜されたシリコン基板(ベアシリコン基板含む)。
・処理可能な基板サイズ:6φ以下。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
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