反応性イオンエッチング装置Samco-II

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 先端ナノ計測施設(ANCF)
メーカー サムコ株式会社
型式 RIE-200L
用途

プラズマエッチング

仕様(特徴・詳細)

本装置は、プラズマリアクティブイオンエッチング法により高密度エッチングが可能です。
主にSiO2膜のエッチングを目的としています。
ロードロック室を装備しているため再現性よくエッチングが出来ます。
操作はレシピを作成、登録しタッチパネルによる全自動運転です。

・型式: サムコ株式会社 RIE-200L
・主なエッチング材料: SiO2
・ウエハサイズ: 3 inchウエハ
・使用ガス: CHF3,O2
・エッチングレート: SiO2 = 18 nm/min
・面内均一性: 5 %以下
・反応室到達真空度: 4×10-5 Pa
・基板冷却機構: 水冷
・ウエハトレー: カーボン
・エッチング終点検出: なし

サムコ株式会社のRIE-200NL解説ページ
http://www.samco.co.jp/products/list/03_etching/01_rie/rie-200nl.php

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問合せ先

産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進本部
共用施設調整室
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1つくば中央第2事業所
つくば本部・情報技術共同研究棟9階
TEL: 029-862-6592
FAX: 029-862-6048
E-mail :ibec_info-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:ウエハ裏面に異物等がなきこと。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

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検索キーワード エッチング プラズマエッチング ドライエッチング 異方性エッチング