ICP型反応性イオンエッチング装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY)
メーカー ULVAC
型式 CE-300I
用途

プラズマエッチング

仕様(特徴・詳細)

有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。
低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。
プラズマ密度と基板への入射エネルギーを独立に制御可能。
ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。
タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。
・型式:ULVAC CE-300I
・装置形態:エッチング室 x 1 + ロードロック室
・電源:最大出力1000 W(アンテナ部)、300 W(バイアス部)
・最大基板サイズ:Φ3 inchウェハ
・チップ状試料の場合はトレイ処理が可能
・基板保持機構:静電チャックおよびHeガス冷却機構
・電極水冷用チラー
・エッチングガス圧: 0.07 – 13.3 Pa
・到達真空度:5 x 10-4 Pa以下
・TMPおよびドライポンプで排気
・使用ガス:SF6、CF4、C4F8、O2
・エッチング終点検出可能。
・主にエッチングしている材料:Mo、TiN、NbN、Si
・Moのエッチングレート: 30 nm/min

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

国立研究開発法人産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進センター共用施設運営ユニット共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1
つくば中央第2事業所 2-12棟
TEL:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Email:tia-kyoyo-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・エッチング可能な基板サイズ:3 inchウェハ。その他の基板サイズの場合はご相談ください。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
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