NbNジョセフソン素子作製装置

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY)
メーカー
型式 EVP-30751
用途

成膜

仕様(特徴・詳細)

交流高電圧によりN2(またはAr)プラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へNbN(またはNb)の超伝導薄膜をスパッタします。
TiN(またはTi)の常伝導膜との組み合わせでSNS型のジョセフソン接合を作製できます。
PCにより自動で逐次多層成膜することができます。
真空システムと基板搬送は手動操作です。
・型式:EVP-30751
・装置形態:スパッタチャンバー x 1 + ロードロック室
・スパッタ源:6 inchRFマグネトロン x 3式
・スパッタ電源:RF電源 最大出力600 W
・基板サイズ:Φ3 inchウェハ、Φ2 inchウェハ
・基板加熱機構:故障中(修理予定なし)
・基板冷却機構:なし
・イオンビームで基板クリーニング可能。
・ターゲット-基板間距離:40 ~ 80 mm (ユーザー変更不可)
・到達真空度:1.4 x 10-4 Pa以下
・使用ガス:Ar、N2
・PCによる自動成膜(Webによる遠隔モニタ機能有)
・成膜可能材料:NbN、Nb、Ti、TiN、Al (Alは暫定のため予告なく変更の可能性あり)
・成膜時間:NbN 76 nm/min 例)SNSジョセフソン接合の積層膜に2時間

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

国立研究開発法人産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進センター共用施設運営ユニット共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1
つくば中央第2事業所 2-12棟
TEL:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Email:tia-kyoyo-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-12棟131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベア基板または所定の洗浄プロセスにて処理された基板。
・成膜可能な基板サイズ:2、3 inchウェハと20 mm角基板。
・ターゲット材料は暫定のためNb以外は予告なく変更する可能性あり。
・実際の利用に当たっては装置管理者の指示に従うこと。

施設画像
検索キーワード トンネル接合 ジョセフソン素子 ジョセフソン接合 NbN TiN ロードロック式 自動成膜 RFスパッタ 3インチ