i線ステッパ

機関 産業技術総合研究所(AIST)
施設名 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY)
メーカー
型式
用途

i線を用いたパターン露光

仕様(特徴・詳細)

本装置は、レチクル上に描画されたパターンを超高圧水銀灯で照明し、縮小投影レンズを通してウェハ上に結像させ、焼き付けます。
また、ウェハステージをステップ・アンド・リピートさせながら露光するので、ウェハ全面への露光が可能になります。

・形式:NSR-2205i12D
・露光光源:i線(波長365 nm)
・解像度:350 nm L&S
・開口数N.A:最大0.63、0.63~0.5で可変
・縮小倍率:1/5倍
・1ショットの露光範囲:22 mm角 又は 17.96(横)×25.2(縦)mm、
但し、φ31.11 mm以内
・露光マスク:6インチレチクル
・アライメント精度:55 nm以下
・露光可能なウェハサイズ:3インチ、4インチ、6インチ
・標準的な露光時間(ウェハ、レチクルのセットから露光終了まで):10分程度/ウェハ
但し、上記はアライメントがオートでなされ、エラーが発生しない場合。

詳細リンク先 詳しくはこちらをご覧下さい
問合せ先

国立研究開発法人産業技術総合研究所
つくばイノベーションアリーナ推進センター共用施設運営ユニット共用施設ステーション
〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1
つくば中央第2事業所 2-12棟
TEL:029-861-3210
FAX:029-861-3211
Email:tia-kyoyo-ml[@]aist.go.jp
(メールでお問い合わせ頂く際は[ ]を外してメールしてください)

備考

・設置場所:2-12棟1131クリーンルーム内。
・使用可能サンプル:清浄ベアウェハまたは所定の洗浄プロセスにて処理されたウェハ。
・利用開始前に操作法についての講習の履修が必要。
・露光プロセスとプログラミングはユーザー自身が実施すること。また、利用マニュアルに記述のない操作を禁止する。
・実際の利用に当たっては、装置管理者の指示に従うこと。また、不具合が発生した場合、管理者へ通知のこと。

施設画像
検索キーワード 露光 リソグラフィ i線ステッパー 3インチ 4インチ 6インチ 最小線幅280nm