微細加工装置群:G11の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) 集束イオンビーム加工観察装置(FIB) この装置はガリウムイオンビームを集束・走査することで特定の微小領域を微細加工するものです。2次電子像を観察しながら断面試料やTEM試料等を作製することが可能です。タング...

加工、観察

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) FIB-SEM 複合装置(FIB-SEM) この装置はガリウムイオンビームとエレクトロンビームを集束・走査することで、SIM(Scanning Ion Microscopy) によるイオン励起二次電子像、及び 同一真空チャンバー内にあるFE-...

加工、観察

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) FIB-SEMダブルビーム装置 イオン源 Ga液体金属FIB加速電圧 1-30kV電子銃 ZrO/W熱電界放射型SEM加速電圧 1-30kV試料サイズ 最大φ8インチその他 FIB:試料ステージに直交/SEM:FIBに対して54度傾斜,カー...

TEM試料作製,イオン照射による直接加工

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 室温プローバーシステム プローブ: 同軸プローブマニピュレータ: 4基I-V測定端子: 4ユニットC-V測定端子: 1ユニット試料サイズ: 最大φ4インチその他: 試料ステージ電圧印加可、除振台/シールドボ...

I-V/C-V特性評価

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 極低温プローバーシステム 試料冷却方式 無冷媒式プローブ 同軸プローブマニピュレータ 6基I-V測定端子 6ユニット試料サイズ 最大20 mm角その他 試料ステージ電圧印加可、液体ヘリウム移送式超伝導マグネ...

4 K台から室温までのI-V/C-V特性評価

物質・材料研究機構(NIMS) 微細構造解析プラットフォーム(NMCP) FIB加工装置(JEM-9320FIB, JEM-9310FIB1, JEM-9310FIB2, JIB-4000) JEM-9320FIB Gaイオンエネルギー:5~30 kV、最大電流30nA、分解能6nmJEM-9310FIB1 Gaイオンエネルギー:5~30 kV、最大電流10nA、分解能8nm、バルクステージ装備JEM-9310FIB2 G...

FIBによるナノ加工

物質・材料研究機構(NIMS) 微細構造解析プラットフォーム(NMCP) TEM試料作製装置群 切断、機械研磨、イオン研磨、化学機械研磨(CMP)、FIB加工、ピックアップ、樹脂包埋、染色処理、クライオミクロトーム等。貼り合わせ断面試料、ダメージレスくさび型試料、低温...

切断、機械研磨、イオン研磨、化学機械研磨(CMP)、FIB加工、ピックアップ、樹脂包埋、染色処理、クライオミクロトーム等。貼り合わせ断面試料、ダメージレスくさび型試料、低温低加速イオン研磨試料、生体材料試料、高分子材料試料、FIB+ピックアップ試料など、各種材料や目的に応じた試料作製。

物質・材料研究機構(NIMS) 微細構造解析プラットフォーム(NMCP) セラミックス試料作製装置群 切断・機械研磨・ディンプリング・イオン研磨(試料冷却可能)・低加速イオン研磨・FIB・ピックアップ。

切断・機械研磨・ディンプリング・イオン研磨(試料冷却可能)・低加速イオン研磨・FIB・ピックアップ。

物質・材料研究機構(NIMS) 微細構造解析プラットフォーム(NMCP) 無損傷電子顕微鏡試料薄片化装置 Ar+イオンエネルギー:50~2000eV、イオン電流:1mA/cm2、イオンビームサイズ:2 μm、イオン入射角:-10?30゜、試料回転角:360°で、新たな損傷を与えずにTEM観察用試料を作製。

Ar+イオンエネルギー:50~2000eV、イオン電流:1mA/cm2、イオンビームサイズ:2 μm、イオン入射角:-10?30゜、試料回転角:360°で、新たな損傷を与えずにTEM観察用試料を作製。

物質・材料研究機構(NIMS) 微細構造解析プラットフォーム(NMCP) デュアルビーム加工観察装置 (NB5000) ・ 低球面収差FIB光学系により、ガリウムイオンビーム径約1マイクロメートルで、50 nA以上のビーム電流を得ることができる。・ 走査透過電子顕微鏡(STEM)の機能により、0.8 nm...

・ タングステンと炭素の薄膜形成
・ 大面積・硬質材料の加工

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