微細加工装置群:F9の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) 多目的エッチング装置 放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。本装置...

エッチング

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) 反応性イオンエッチング装置 (RIE) この装置は、反応性ガス(SF6, CF4, O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチング用粒子として使用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧...

エッチング

産業技術総合研究所(AIST) 先端ナノ計測施設(ANCF) 反応性イオンエッチング装置Samco-III この装置は反応性ガス(CF4、SF6、O2)を高周波電界中で活性化し、これにより生じたラジカルイオンをエッチャントとして利用して材料表面を削るものです。基板に高周波電圧を印加...

プラズマエッチング

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 多目的ドライエッチング装置 プラズマ励起方式 平行平板型電源出力 最大300Wプロセスガス CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2試料ステージ温度 室温試料サイズ 最大φ8インチ

多種材料のドライエッチング

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 化合物ドライエッチング装置 プラズマ励起方式 誘導結合型電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300Wプロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2試料ステージ温度 200度以下試料サイズ 最大φ3インチ

化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) シリコン深堀エッチング装置 プラズマ励起方式 誘導結合型電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100Wプロセスガス SF6,C4F8,Ar,O2試料ステージ温度 室温試料サイズ 最大φ3インチ

MEMS等,シリコン深堀エッチング

産業技術総合研究所(AIST) 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY) ICP型反応性イオンエッチング装置 有磁場ICP(Inductively Coupled Plasma)型高密度プラズマエッチング装置。低パワーでも安定・均一なプラズマが得られ、ダメージの少ないエッチングが可能。プラズマ密度と基板へ...

プラズマエッチング

産業技術総合研究所(AIST) 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY) 反応性イオンエッチング装置(Ulvac) 並行平板型反応性イオンエッチング装置。ロードロック付き。ウェハは自動搬送。枚葉式処理。タッチパネル制御。エッチングレシピ登録可能。エッチングログ保存機能。・型式:ULVA...

プラズマエッチング