微細加工装置群:B4の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) スパッタ装置 高周波励起によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。ロードロック室付なので基板交換を効率良く迅速に行えます。3種...

成膜

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) 多元同時スパッタ装置 この装置は複数のソースを同時にスパッタし成膜することが可能です。膜厚分布は±5 %以内(5インチ基板にSiO2を堆積した場合)です。また、基板とソースとの距離(Target-Substrate(...

成膜

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) RF・DCスパッタ装置 この装置は、スパッタリング現象を利用して、薄膜を作製するためのものです。マグネトロンカソードを4インチ3式、3インチ1式装備しています。構成は、RF用非磁性3インチ×1、非磁...

成膜

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) ECRスパッタリング装置 ・電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマスパッタ方式・成膜可能材料: Al2O3、SiO2、AlN、SiN・基板サイズ: 最大φ100 x t3 mm・基板加熱: Max 300 ℃・成膜距離: 100 ~ 200 mm・...

成膜

産業技術総合研究所(AIST) 先端ナノ計測施設(ANCF) 絶縁膜作製装置 交流高電圧によりArプラズマを発生させて成膜材料へ衝突させることにより、基板へSiO2膜を自動でスパッタします。基板を回転させることによりカバレッジと均一性を改善します。...

成膜

産業技術総合研究所(AIST) 先端ナノ計測施設(ANCF) 蒸着・バイアススパッタ装置 目的:成膜方式:RFスパッタリング、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着材料:SiO2成膜ウエハサイズ:6″φ以下代表的プロセス時間:約40分(基板のプラズマクリーニング後に100 nm程度...

成膜

産業技術総合研究所(AIST) 先端ナノ計測施設(ANCF) マルチターゲット(六源)スパッタ装置 ・最大基板サイズ:4inchウェハ。・成膜チャンバーとサンプル搬入用ロードロックの2チャンバー構成。・スパッタ方式:DC、RF可能。・成膜時の圧力コントロール精度:0.2 mTorr以下...

成膜

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 全自動スパッタ装置 スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ、反応性/2元同時/逆スパッタ可能電源出力 最大500 Wカソード φ4インチ×4式プロセスガス Ar、O2、N2試料サイズ 最大φ6インチその他 試...

金属・絶縁薄膜形成

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 超高真空スパッタ装置 スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ、反応性スパッタ可能電源出力 DC:最大1 kW/RF:最大300 Wカソード φ2インチ×4式プロセスガス Ar、O2試料サイズ 最大φ3インチその他 ...

垂直対向スパッタによる薄膜形成

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 原子層堆積装置 成膜材料: Al2O3、HfO2原料: TMA、TEMAHf、H2O成膜温度: 100 – 450度成膜レート: 0.1 nm/Cycle試料サイズ: 最大φ4インチ

高品質絶縁膜形成

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