計測用装置群:D13の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) 分光エリプソメータ この装置は、半導体やガラス基板上に成膜した薄膜の膜厚及び組成の同時測定、多層膜の膜厚測定を目的とした装置です。TFT多層膜、Low-k、High-k材料、低温P-Siなどの評価も可能...

計測

物質・材料研究機構(NIMS) 強磁場ステーション(TML) 強磁場光学測定システム パルス磁石⇒磁場:最大40T、ボア径:30mm(室温)、パルス幅:約5msec、超伝導磁石⇒磁場:15T、ボア径:40mm(低温)

主に強磁場中での分光測定。その他に電気抵抗測定、磁化測定も可。ミリ波からサブミリ波、テラヘルツ波、赤外、可視、紫外までの測定が可能。(一部条件あり)。

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 自動エリプソメータ 測定方式 回転位相子法光源 632nm He-Neレーザービーム系 0.8mm入射角 50,60,70度試料サイズ 最大φ6インチ

絶縁膜形成評価