補助装置群:C1の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) ダイシングソー 切削刃 ダイヤモンドブレード切削範囲 XY:162mm以下スピンドル回転数 3000-40000rpm顕微鏡 モニタ上倍率27倍/270倍電動切替試料サイズ 最大φ6インチその他 オート/セミオート...

シリコン/石英/サファイア基板の小片化

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 自動スクライバー 切削刃 ダイヤモンドポイントカッター切削範囲 XY:110mm以下ステージ駆動分解能 1umカッター荷重 10-30g試料サイズ 最大φ4インチその他 自動ブレーキング可

半導体基板の小片化

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) CMP研磨装置 プレート材質 ガラス/鉄/クロスプレート径 φ12インチプレート速度 1-70rpmスラリー シリカアルミナ/粒径10,20,50um試料サイズ 最大φ3インチ

半導体基板の薄片化/平坦化

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 手動スクライバー 切削刃 ダイヤモンドポイントカッター切削範囲 XY:100mm以下ステージ駆動 全軸手動カッター荷重 50-1000g試料サイズ 最大φ4インチ

半導体基板の小片化

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) ブレイキング装置 ブレイキング方式 基板裏面ブレード接触ブレード幅 80mmステージ駆動範囲 110mmステージ駆動分解能 1um試料サイズ 最大φ4インチ

半導体基板のへき開

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) ワイヤーボンダー(1) ボンディング方式 超音波/熱圧着ウェッジボンド方式ボンディングウェッジ 45度,90度ワイヤー材質 金線,アルミ線ワークホルダー温度 300度以下試料サイズ 50mm角以下,DIPパッ...

チップキャリアへのボンディング

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) クリーンルーム(並木) クラス1000、

微細加工の障害となる空気中の埃を1/1000程度まで除去した特殊な実験室です、

 

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) ワイヤーボンダー(2) ボンディング方式:超音波ウエッジ・ウエッジ技法、ワイヤ:0.007~0.002インチ径のアルミ又は金ワイヤ、ワークピースの加熱が可能 

直径10ミクロンのワイヤーによる端子間結線、

 

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) ダイシング装置 ブレード種:Si用及びAl2O3切断用ブレード、ウェハサイズ:最大φ6インチ、切断位置決め精度:5μm以内(CCDカメラによる位置指定) 

シリコン、化合物半導体、酸化物等の基板の精密切断、

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 冷却遠心機 回転数:<16000rpm、温度:-4℃~40℃、

冷却機能の付いた遠心分離機、材料の分離、

2 / 3123