補助装置群:B1の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) ウェハー酸化炉 この装置は、シリコンウエハー表面の酸化膜形成などの熱処理に用います。横型の熱処理炉で、試料室内部はドライまたはウェットな酸素ガス雰囲気もしくは、不活性ガス(窒素)雰囲...

加熱

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) 高速昇降温炉(RTA) 赤外線ランプとゴールドミラー集光機構を備えた高速昇温可能な加熱装置です。試料は、石英管内の3インチカーボンサセプタに乗せ、真空又は、不活性ガス(Ar, N2)雰囲気による加熱...

加熱

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) クリーンオーブン (リソグラフィ付帯装置)

加熱

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) マッフル炉

加熱

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) 急速赤外線アニール炉 加熱方式: 放物面反射赤外線管状加熱方式プロセス温度: 1150度以下昇温速度: 40度/秒以下均熱範囲: 80 mm試料サイズ: 20 mm角以下×4

合金化、急速アニール

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) シリコン酸化・熱処理炉 加熱方式:細線ヒーター加熱方式プロセス温度: 300 – 1000度酸化雰囲気: O2ドライ酸化、バブリングウエット酸化アニール雰囲気: O2、N2試料サイズ: 最大φ2インチ

小片シリコン酸化、長時間アニール

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) RTA(赤外線急速アニール炉:20mm) ランプ出力、本数:2kW×4本、温度範囲:室温~1200℃(常用)、最高1350℃、プロセスガス:N2、Ar+H2(3%)、Ar、O2、真空置換機能あり、試料サイズ・個数:20mm□×4個、試料台...

不活性/還元/酸素雰囲気での急速加熱処理、

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) シリコン酸化炉 ウェット酸化能力:1プロセスで膜厚2μm以上、ウェハ処理能力:φ3インチまたはφ6インチウェハを最高11枚、 

O2によるドライ酸化の他、水蒸気を併用するウェット酸化も可能、

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) RTA(赤外線急速アニール炉:6inch) 温度範囲:室温~1000℃、加熱方式:赤外ゴールドイメージ炉、9ゾーン制御、加熱性能:最大10℃/s、プロセスガス:N2、Ar+H2(3%)、Ar、O2、真空置換機能あり、試料台材質・サ...

不活性/還元/酸素雰囲気での急速加熱処理、