補助装置群:A1の装置一覧

機関名 施設名 装置名称/手法 仕様 用途
産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) プラズマアッシャー (リソグラフィ付帯装置) この装置は、石英チャンバー内で酸素プラズマを発生させることにより、有機物のフォトレジストをCO2とH2Oに分解・酸化させて除去するものです。・型式:PR500・高周波電源:最大50...

アッシング

産業技術総合研究所(AIST) ナノプロセシング施設(NPF) UVクリーナー (リソグラフィ付帯装置) UV(紫外線)を用いたドライ洗浄装置。・UVランプ:110W x 1 (peak wavelength 253.7 nm , 184.9 nm)・試料ステージ温調機能:室温~300 ℃・オゾン発生器サムコ社のUVクリーナー解...

洗浄

産業技術総合研究所(AIST) 先端ナノ計測施設(ANCF) アッシング装置 目的:ウエハークリーニング方式:酸素プラズマ試料:シリコンウエハー試料サイズ:175 mm×200 mm以下典型的プロセス時間:約15分(5分程度のプラズマ処理の場合)特徴:平行平板電極型(...

アッシング

産業技術総合研究所(AIST) 先端ナノ計測施設(ANCF) ウェハー洗浄装置 本装置は、希フッ酸によるSiの自然酸化膜のエッチングとオゾン水によるSi酸化プロセスの繰り返しにより、Siウェハー表面・裏面を同時に洗浄する、スピンタイプのウェハー洗浄装...

ウェハ洗浄

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) プラズマアッシャー プラズマモード ダイレクトプラズマ高周波出力 0 – 600 W連続可変反応ガス O2処理時間設定 任意 (チャンバー温度150 度でインターロックあり)試料サイズ 最大φ6インチ

基板クリーニング、レジスト剥離

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) UVオゾンクリーナー 光源: 紫外線ランプ (184.9 nmおよび253.7 nm)オゾンジェネレータ: 無声放電方式高濃度オゾナイザーステージ温度: 室温~300 度処理時間設定: 任意試料サイズ: 最大φ8インチ

基板クリーニング、表面改質

物質・材料研究機構(NIMS) 微細加工プラットフォーム(NFP) エキシマクリーナー 光源: 172 nmエキシマ紫外線ランプ照射距離: 3 – 35 mmステージ温度: 室温~200 度処理時間設定: 任意試料サイズ: 最大φ4インチ

基板精密クリーニング、表面改質

産業技術総合研究所(AIST) 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY) 有機洗浄装置A 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液(レジスト剥離液)にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途...

ウェハ洗浄

産業技術総合研究所(AIST) 超伝導アナログ・デジタルデバイス開発施設(CRAVITY) 有機洗浄装置B 本装置は、洗浄処理部のウェハステージに人手でウェハをセットすることで、薬液(レジスト剥離液)にて自動的にウェハの表面洗浄処理を行う枚葉式のスピン洗浄装置です。主な用途...

ウェハ洗浄